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華測(cè)儀器中標(biāo)深圳技術(shù)大學(xué)壓電電致伸縮測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目
華測(cè)儀器中標(biāo)深圳技術(shù)大學(xué)壓電電致伸縮測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目 發(fā)布時(shí)間:2025-05-16
華測(cè)儀器中標(biāo)深圳技術(shù)大學(xué)壓電電致伸縮測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目近日,北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華測(cè)儀器”)成功中標(biāo)深圳技術(shù)大學(xué)壓電電致伸縮測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目,標(biāo)志著其在材料電學(xué)性能檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再獲市場(chǎng)認(rèn)可。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),華測(cè)儀器憑借自主研發(fā)的精密測(cè)試設(shè)備和解決方案,已成為絕緣...
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    耐壓絕緣測(cè)試儀HC-9310新升級(jí)
    耐壓絕緣測(cè)試儀HC-9310HC9310可以提供5kVAC/10mA耐電壓、6kVDC/5mA耐電壓、絕緣電阻測(cè)試。儀器的原理結(jié)構(gòu):高壓模塊是一個(gè)DA基準(zhǔn)、可控正弦發(fā)生器、AB類(lèi)功放、40~600Hz高壓變壓器升壓,輸出電壓閉環(huán)控制。DA基準(zhǔn):保證輸出電壓幅值可控??煽卣野l(fā)生器...
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    華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)研發(fā)上市
    華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)研發(fā)上市產(chǎn)品概述Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過(guò)電滯回線測(cè)得的...
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    2023年五一放假通知
    2023年五一放假通知各位客戶(hù)您好:五一勞動(dòng)節(jié)來(lái)臨之際,在此向您致以最真摯的祝福與問(wèn)候!華測(cè)公司在五一勞動(dòng)節(jié)期間放假安排為:04月29日~5月3日(5月4日(周四)正式上班)在此期間給您帶來(lái)的不便敬請(qǐng)諒解,恭祝您假期快樂(lè),萬(wàn)事如意?。?!華測(cè)儀器公司專(zhuān)注于新材料電性能檢測(cè)以及電氣自...
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    電壓擊穿試驗(yàn)儀應(yīng)用
    電壓擊穿試驗(yàn)儀是一種用于測(cè)量材料的絕緣性能的測(cè)試設(shè)備。這種設(shè)備通過(guò)施加高電壓來(lái)模擬電力系統(tǒng)中的真實(shí)工作條件,以便確定材料的耐電壓強(qiáng)度和絕緣性能。電壓擊穿試驗(yàn)儀通常由高壓發(fā)生器、樣品支架、電壓測(cè)量?jī)x和控制電路等組成。在測(cè)試過(guò)程中,測(cè)試樣品被放置在樣品支架上,然后通過(guò)高壓發(fā)生器施加高...
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    電壓擊穿試驗(yàn)儀概述
    電壓擊穿試驗(yàn)儀是一種用于測(cè)試電氣設(shè)備絕緣性能的儀器。它可以測(cè)量材料在高電場(chǎng)下的絕緣強(qiáng)度和耐壓能力,從而檢測(cè)出潛在的故障風(fēng)險(xiǎn)。電壓擊穿試驗(yàn)儀原理:電壓擊穿試驗(yàn)儀的基本原理是將高壓電場(chǎng)施加到被測(cè)試物體上,并逐漸增加電場(chǎng)強(qiáng)度,直到產(chǎn)生電擊穿現(xiàn)象。在該過(guò)程中,測(cè)量電流、電壓和時(shí)間等參數(shù),...
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    高溫四探針測(cè)試儀有哪些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)?
    高溫四探針測(cè)試儀是一種用于測(cè)量材料電學(xué)性能的儀器,主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、金屬材料、電池材料等領(lǐng)域。它通過(guò)將四根探針嵌入測(cè)試樣品中,測(cè)量樣品的電阻率、電導(dǎo)率、霍爾系數(shù)等電學(xué)參數(shù),從而評(píng)估材料的電學(xué)性能。高溫四探針測(cè)試儀可以在高溫環(huán)境下工作,通??蛇_(dá)到1000℃以上的高溫條件,因此在...
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