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適用高電壓高頻材料測(cè)試的200V功率放大器！發(fā)布時(shí)間：2024-11-20

適用高電壓高頻材料的功率放大器一、概述HCAM-200V專為需要超出大多數(shù)波形、函數(shù)或脈沖發(fā)生器的標(biāo)準(zhǔn)電壓限制的高壓放大應(yīng)用而設(shè)計(jì)。HCAM-200V的最大輸出電壓為400Vp-p，標(biāo)配+50的固定增益。額定電流為100mA，輸出阻抗為0.2?。有獨(dú)立的緩沖電壓監(jiān)測(cè)器輸出，用于需...

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2023
7-10

電輸運(yùn)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)
電輸運(yùn)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)：1.特殊的測(cè)試條件。一般條件下，被測(cè)樣品被放置在低溫（通常是超導(dǎo)）及磁場(chǎng)環(huán)境中，其低溫zuidi可達(dá)0.1mK,磁場(chǎng)可高達(dá)16T。在jiduan條件下，磁場(chǎng)可達(dá)100T脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)，壓力可達(dá)100GPA。PPMS可以提供...
2023
7-7

憶阻器的介紹以及測(cè)試方案
憶阻器憶阻器英文名為memristor,用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注...
2023
7-6

憶阻器應(yīng)用領(lǐng)域包括哪些？
憶阻器英文名為memristor,用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要...
2023
7-4

鐵電壓電分析儀儀器配置
鐵電壓電分析儀儀器配置HuaceFE系列鐵電測(cè)試系統(tǒng)是目前市場(chǎng)上zuixian進(jìn)的設(shè)備，有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍并且在世界鐵電測(cè)試領(lǐng)域其高測(cè)試精度能力shou屈一指。在±500V內(nèi)置電壓下，電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)50...
2023
6-30

壓電材料的性能改善
壓電材料的性能改善第yi類是無(wú)機(jī)壓電材料，分為壓電晶體和壓電陶瓷，壓電晶體一般是指壓電單晶體；壓電陶瓷則泛指壓電多晶體。壓電陶瓷是指用必要成份的原料進(jìn)行混合、成型、高溫?zé)Y(jié)，由粉粒之間的固相反應(yīng)和燒結(jié)過(guò)程而獲得的微細(xì)晶粒無(wú)規(guī)則集合而成的多晶...
2023
6-27

熱釋電材料的性能
盡管具有熱釋電效應(yīng)的材料種類很多，但當(dāng)今實(shí)用化的材料僅有幾種，如PbTiO3和PZT陶瓷，硫酸三甘肽TGS和LiTiO3單晶等。表4.5-11列出部分熱釋電材料的性能。其中LiTa03，LiNbO3和SBN（Sr0.5Ba0.5Nb2O5)...

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